240Am半衰期的测量

• 作者: 余功硕 凡金龙 夏子恒 师全林 李雪松 解峰
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 240 Am 半衰期 阱型HPGe探测器
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 577-582
• 页数: 6页
• 分类号: O571.31
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.youxian.0556

摘要

240 Am的半衰期对准确测量241 Am(n,2n)240 Am反应截面具有重要作用,当前评价的数据50.8(3)h是对240 Am的987.8keVγ射线用Ge(Li)探测器跟踪测量6d的结果,测量时间不到3个半衰期,使得测量结果的不确定度偏大.本文利用Geant4模拟软件建立了阱型HPGe探测器的测量模型,模拟计算了不同Pb吸收厚度下240 Am高能γ射线的探测效率,确定使用阱型HPGe探测器配合吸收X射线和低能γ射线的Pb吸收体可有效提高240 Am高能γ射线的探测效率.根据Geant4模拟计算的结果,Pb吸收体厚度为1mm时,对240 Am的888.8keV和987.8keV两条特征γ射线的探测效率分别为14.1％和13.3％.在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上通过242Pu(p,3n)反应生产了240 Am,制备了约 700Bq的240 Am测量源,用上述方法跟踪测量240 Am的888.8keV和987.8keV两条特征γ射线的强度,时间超过18d,用最小二乘法拟合得到其半衰期为50.79(5)h,结果与评价结果一致,但减小了不确定度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雪松		35	47	3.0	5.0
2	解峰		20	27	3.0	4.0
3	师全林		26	30	2.0	5.0
4	凡金龙		13	16	3.0	3.0
5	余功硕		13	9	2.0	2.0
6	夏子恒		1	0	0.0	0.0