Ar+轰击SrTiO3表面的持续光电导现象

• 作者: 何月 何鹏 周瑶 幸代鹏 曾慧中
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶 亚禁带 持续光电导 扩展指数型衰减 弛豫时间 随机局部势能涨落
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 22-28
• 页数: 7页
• 分类号: TN36
• 字数: 4413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.04.004

摘要

持续光电导现象在光电器件中有着潜在的应用.采用亚禁带光激发手段研究了SrTiO3表面的持续光电导效应.Ar+轰击后的SrTiO3单晶可以形成具有光电效应的表面导电层.在温度80 K至300 K范围内,饱和光电导与激光功率强度之间呈现幂律规律,表现出带间陷阱复合的特征.激光辐照中止后,持续光电导的衰减时间达到1000 s以上.光电流的衰减符合扩展指数律,弥散参数β维持在0.2左右,基本不随温度改变,而特征时间τ随温度升高从49.6 s增加到2706 s;在低温区(80~150 K)的载流子复合势垒是7.1 meV,而在室温附近(150~300 K)的载流子复合势垒增加到95 meV.这些特征表明Ar+轰击SrTiO3表面的光电导在衰减过程符合随机局部势能涨落模型,在低温时由浅能级陷阱的复合占主导,而在室温时则由深能级陷阱的复合占主导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾慧中	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	50	4.0	6.0
2	周瑶	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	何鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	1	1.0	1.0
4	幸代鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	1	1.0	1.0
5	何月	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0