不同氟源对FTO薄膜性能影响及其作用机理

• 作者: 史晓慧 张衡 樊琳 许珂敬 贾雨辉 魏春城
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 氟源 FTO薄膜 光电性能 作用机理
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2017.001250

摘要

以SnCl4·5H2O为锡源,以不同氟的化合物如CF3COOH,HF和SnF2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备不同氟源掺杂的SnO2 (Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)薄膜,主要研究CF3COOH,HF和SnF2不同氟源的掺入对薄膜的表面形貌、结构以及光电性能的影响,系统地探讨了其作用机制.结果表明:3种氟源制备的FTO薄膜表面形貌分别为不规则多边形状、棒状以及金字塔状,且均呈四方金红石型结构.3种氟源中,以SnF2为氟源的SnO2薄膜综合性能较佳,其方块电阻为14.7Ω/□,红外反射率为86.1％.不同氟源的掺杂机制主要是F-和SnO2晶粒间的键合方式不同,或生成氟锡化合物的难易程度不同,一次掺杂的氟源(SnF2)制备的FTO薄膜性能优于二次掺杂的(HF)以及间接性掺杂的氟源(CF3COOH).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许珂敬	山东理工大学材料科学与工程学院	41	393	11.0	18.0
2	魏春城	山东理工大学材料科学与工程学院	47	197	8.0	12.0
3	史晓慧	山东理工大学材料科学与工程学院	6	16	2.0	3.0
4	樊琳	山东理工大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
5	张衡	山东理工大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
6	贾雨辉	山东理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0