氯掺杂氧化亚铜的制备及光电性能

• 作者: 千志科 谢思思
• 来源期刊: 新乡学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu2O薄膜 Cl掺杂 表面光电压谱 相位谱 反型层
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 化学 化工 材料
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: O475
• 字数: 2629字
• 语种: 中文

摘要

采用电化学沉积法在弱酸性溶液中制备n型氧化亚铜晶体,以氯化钠为添加剂实现氯掺杂.研究不同Cl-浓度对氧化亚铜表面形貌及晶体结构的影响,结果表明:氯掺杂可促进氧化亚铜晶体(111)面的生长,但浓度过高会导致铜单质的生成.利用自制的表面光电压测试仪研究了在外加电场作用下氯掺杂前后氧化亚铜晶体的光电压(SPS)谱和相位(PS)谱,结果表明:氯掺杂可以提高载流子浓度,克制反型层的产生,加强Cu2O的n型导电性

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	千志科	黄河交通学院机电工程学院	8	5	2.0	2.0
2	谢思思	黄河交通学院基础教学部	3	3	1.0	1.0