AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响

• 作者: 井红旗 仲莉 倪羽茜 刘启坤 刘素平 孔金霞 王鑫 马骁宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AuSn焊料 半导体激光器 AlN过渡热沉 热阻
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 850-854
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183906.0850

摘要

为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响.利用MOCVD生长975 nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72％的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5 nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72％,小于80％,才能保证封装器件焊接质量,为实际生产和使用提供了指导意义.