O2在UC(001)表面吸附的第一性原理研究

• 作者: 何山浩伟 何彬 李如松 王飞 瞿鑫 袁凯龙
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: UC O2 吸附 GGA+U
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 化学
• 页码范围: 1935-1941
• 页数: 7页
• 分类号: O647.32
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2018.youxian.0236

摘要

本文使用GGA+U方法研究了O2在UC(001)表面的吸附、解离过程.结果表明:Ueff=1.5 eV能很好地再现晶格常数a和内聚能Ecoh的实验结果;经过离子弛豫,最表面的两个原子层出现分层现象,各自形成两个亚层;O2分子的吸附构型对吸附过程影响较大,吸附能在2.21～8.55 eV之间变化.通过Bader电荷、差分电荷和态密度分析,可确定O2分子的解离活化机理为U的5f/6d电子转移至O2的π2p和π*2p轨道.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	瞿鑫	火箭军工程大学核工程学院	1	0	0.0	0.0
2	何彬	火箭军工程大学核工程学院	1	0	0.0	0.0
3	李如松	火箭军工程大学核工程学院	1	0	0.0	0.0
4	王飞	火箭军工程大学核工程学院	1	0	0.0	0.0
5	袁凯龙	火箭军工程大学核工程学院	1	0	0.0	0.0
6	何山浩伟	火箭军工程大学核工程学院	1	0	0.0	0.0