第一性原理研究二维GaN的电子结构和光学性能

• 作者: 任达华 张陆 谭兴毅 钱楷
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二维GaN 第一性原理 电子结构 光学性能
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 页码范围: 2624-2631
• 页数: 8页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 4925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.12.035

摘要

二维GaN是一种性能优良的半导体光电材料,用途广泛.因此,基于密度泛函理论采用广义梯度近似方法系统研究单层、双层和三层二维GaN的电子结构和光学性质,并与三维GaN体材料进行比较.结果表明:随着维数的降低,二维GaN的能带变宽,各能级的能量值起伏变大;不同于三维GaN,二维GaN量子尺寸效应明显,N的2s态和2p态相互作用增强,出现能带重叠,呈现较好的导电特性;分析费米能级发现导带底附近存在明显表面态,这是因为Ga的4s电子态的贡献;随着二维GaN层数的增加,对紫外光的反射特性越来越好,在特定的能量范围内,二维GaN的能量损失为零.由此可知,研究二维GaN的电子结构和光学性质有助于二维GaN在纳米光电器件中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭兴毅	湖北民族学院信息工程学院	29	44	4.0	4.0
2	钱楷	湖北民族学院信息工程学院	12	19	3.0	3.0
3	张陆	湖北民族学院信息工程学院	1	0	0.0	0.0
4	任达华	湖北民族学院信息工程学院	8	5	1.0	2.0