基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备

• 作者: 文如莲 梁思炜 王洪 胡晓龙 高升
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ITO 掺金属 薄膜带隙 紫外LED
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1735-1742
• 页数: 8页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 2925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183912.1735

摘要

为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365 nm紫外LED的制备工艺.利用1 cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化.将这种掺杂的ITO薄膜生长在365 nm外延片上并完成电极生长,制备成14 mil×28 mil的正装LED芯片.利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比.实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15 eV.在600℃退火后,方块电阻降低6.2Ω/□,透过率在356 nm处达到90.8％.在120 mA注入电流下,365 nm LED的电压降低0.3 V,功率提高14.7％.ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓龙	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	10	35	3.0	5.0
3	文如莲	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	2	4	1.0	2.0
6	高升	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	1	1	1.0	1.0
7	梁思炜	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	2	4	1.0	2.0