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摘要:
单晶硅是半导体行业重要的功能材料,加工时首先被切割成晶片,然后通过研磨和抛光获得光滑表面.本文介绍了一种新的化学机械磨削(CMG)工艺,用于硅片的终端加工.CMG是把化学反应和机械磨削融为一体的固结磨料加工工艺,在加工效率、磨粒可控性、废料处理等方面优于化学机械抛光(CMP).利用CMG加工单晶硅片,能有效减小亚表面损伤和消除残余应力,对碳化硅、氮化硅、蓝宝石等其它功能材料的超精密加工具有一定的借鉴意义.
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文献信息
篇名 化学机械磨削(CMG)加工单晶硅片
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 化学机械磨削 单晶硅 晶圆减薄 应力消除
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 715-720
页数 6页 分类号 TH16
字数 3043字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.04.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王建彬 安徽工程大学机械与汽车工程学院 43 138 5.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
化学机械磨削
单晶硅
晶圆减薄
应力消除
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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