后退火处理对铟锡氧化物表面等离激元共振特性的影响

• 作者: 刘丰珍 周玉琴 周玉荣 蒋行
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 表面等离激元共振 纳米球阵列 铟锡氧化物 后退火处理
• 年，卷（期）: 2018,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 285-292
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180435

摘要

近年来,表面等离激元光子学发展迅速,并取得了众多新成果.重掺杂半导体材料的表面等离激元共振性质的研究,也得到了人们越来越多的关注.本文通过纳米球刻印技术制备准三维二氧化硅纳米球阵列,在阵列上沉积铟锡氧化物薄膜,通过不同条件下的后退火处理改变铟锡氧化物薄膜的载流子浓度和载流子迁移率,并研究随着材料性质的改变其相应表面等离激元共振特性的变化规律.结果表明:退火处理均使铟锡氧化物薄膜的晶粒长大,光学透过率增加;在空气中退火会导致铟锡氧化物薄膜的载流子浓度减少,其表面等离激元共振峰红移;而真空退火则使铟锡氧化物薄膜的载流子浓度增加,共振峰蓝移.这些研究结果可为后续铟锡氧化物表面等离激元材料及器件的研究提供科学依据和实际指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丰珍	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	17	105	4.0	10.0
2	周玉琴	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	11	46	4.0	6.0
3	周玉荣	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	4	6	1.0	2.0
4	蒋行	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	1	1	1.0	1.0