硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用

• 作者: 冯哲川 周之琰 杨坤 林涛 黄耀民
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多层量子阱 光致荧光 时间分辨荧光谱 硅衬底
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1722-1729
• 页数: 8页
• 分类号: O433.1|O474
• 字数: 5543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183912.1722

摘要

为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力.采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度(10～300 K)的变化规律.实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后,非辐射复合平均激活能由(18±3)meV升高到(38±10)meV,对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓,室温下非辐射复合速率下降,体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小,PL峰位由531 nm左右红移至579 nm左右,样品PL效率随温度的衰减受到抑制.使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层,由于应力释放,降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度,使得器件性能得到了改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨坤	广西大学物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理区重点实验室	4	6	1.0	2.0
2	林涛	广西大学物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理区重点实验室	6	3	1.0	1.0
3	周之琰	广西大学物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理区重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	黄耀民	广西大学物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理区重点实验室	1	1	1.0	1.0