AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究

• 作者: 庄志贤 武红磊 王科 覃佐燕 郑瑞生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN PVT PLC 倒置温场
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 770-776
• 页数: 7页
• 分类号: TP273+.1
• 字数: 3883字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.04.017

摘要

AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400 ℃的生长温度.结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究.首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作.