增强型AlGaN/GaN HEMT势垒层优化设计

• 作者: 吴月芳 郭伟玲 都帅 雷亮
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: P-GaN栅 增强型AlGaN/GaN HEMT器件 势垒层厚度 Al组分
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.08.013

摘要

为研究AlxGa1-xN势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN缓冲层的P-GaN栅增强型AlGaN/GaN HEMT的基本结构,提取了器件势垒层厚度和Al组分渐变时的电学特性,仿真结果得出器件的势垒层厚度范围为取15～20 nm,Al组分范围取0.2 ～0.25时器件特性最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学信息学部	74	656	10.0	23.0
2	吴月芳	北京工业大学信息学部	3	6	1.0	2.0
3	雷亮	北京工业大学信息学部	4	11	2.0	3.0
4	都帅	北京工业大学信息学部	1	0	0.0	0.0