常压CVD法合成铌掺杂少层MoS2

• 作者: 王岩岩 申赫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 常压CVD MoS2薄膜 Nb掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1654-1658
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183912.1654

摘要

利用粉体NbCl5作为Nb掺杂源,采用常压CVD方法合成了大尺寸Nb掺杂的少层MoS2薄膜.通过扫描电子显微镜和原子力显微镜观察获得了该薄膜样品的形貌和厚度信息.拉曼光谱和X射线光电子谱测试证实了Nb被掺入到了MoS2薄膜中,Nb掺杂的MoS2合金薄膜已经形成.最后,对Nb掺杂的少层MoS2薄膜的电学性质进行了测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申赫	吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0
5	王岩岩	吉林师范大学环境友好材料制备与应用教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0