HPVB法生长的CdSe单晶性能研究

• 作者: 张颖武 杨瑞霞 王健 高彦昭
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe单晶 籽晶 HPVB法 红外透过率 非线性光学晶体
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 669-673
• 页数: 5页
• 分类号: O782+.9
• 字数: 2832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.04.001

摘要

采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法(HPVB)生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶.使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,(002)晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽(FWHM)可达0.082°.使用辉光放电质谱法(GDMS)、霍尔效应测试、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对晶体生长轴向的微量杂质含量及分布、电学性能和光学性能进行测试和分析,结果表明微量杂质在晶体轴向方向呈现出不同的分凝特性,杂质的不均匀分布影响晶体的电学性能和光学性能.晶体呈现出较高的电阻率(108Ω· cm)和优良的红外透过性能,在8~12 μm范围内平均透过率约为70%,吸收系数小于0.058 cm-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	张颖武	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	16	2.0	3.0
3	王健	中国电子科技集团公司第四十六研究所	38	82	6.0	7.0
4	高彦昭	河北工业大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0