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摘要:
铝箔在HCl-H2SO4体系发孔后,在添加有缓蚀剂十二烷基苯磺酸钠的1 mol/L HNO3溶液中电解扩孔;以730 V二级化成箔的比电容值为主要评价指标,并结合扫描电镜的分析数据,研究了缓蚀剂浓度、扩孔温度和时间对铝箔扩孔效果的影响.结果显示:缓蚀剂的引入提高了化成箔的比电容;缓蚀剂浓度增大时,腐蚀箔的孔密度增大,孔径变小;在730 V下化成时,扩孔液中十二烷基苯磺酸钠的最佳浓度为0.1 g/L,最佳温度为75℃,最佳时间为500 s,阳极箔比电容达到0.481 μF/cm2,比电容提高了20%.
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文献信息
篇名 十二烷基苯磺酸钠对铝箔腐蚀扩孔的影响
来源期刊 电源技术 学科 工学
关键词 铝阳极箔 十二烷基苯磺酸钠 缓蚀剂 比电容
年,卷(期) 2018,(6) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 862-864
页数 3页 分类号 TM912
字数 3099字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-087X.2018.06.033
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴洪达 广西科技大学生物与化学工程学院 22 40 4.0 5.0
2 蔡小宇 7 17 2.0 3.0
3 贾佑顺 广西科技大学生物与化学工程学院 7 14 2.0 3.0
4 张兵兵 广西科技大学生物与化学工程学院 8 15 2.0 3.0
5 张泽远 广西科技大学生物与化学工程学院 8 15 2.0 3.0
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十二烷基苯磺酸钠
缓蚀剂
比电容
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电源技术
月刊
1002-087X
12-1126/TM
大16开
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1977
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