一种新型SiC MOSFET驱动电路

• 作者: 崔文韬 张军明 方跃财 舒露
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: SiCMOSFET 电压过冲 驱动电路
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 电子技术研发
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 字数: 2109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2018.04.001

摘要

以SiC MOSFET为代表的宽禁带半导体器件近年来受到越来越多的关注,将在更多的场合得到应用.SiC MOSFET本身较小的寄生参数带来了开关速度及开关损耗等优势,但是也会造成开关瞬态产生较大的电压过冲,增加电磁干扰甚至损坏器件.文章提出了一种新型的控制电路,可以有效减小SiC MOSFET的电压过冲,相比传统方法,可以缩短关断延时并降低开关损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张军明		56	1466	15.0	38.0
2	舒露		2	1	1.0	1.0
3	方跃财		1	1	1.0	1.0
4	崔文韬		1	1	1.0	1.0