Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si3N4纳米线

• 作者: 吴宛泽 王秋实 王维龙 谢永辉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: α-Si3N4 纳米线 电弧 光致发光
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 816-821
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 3283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.04.024

摘要

采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si3N4纳米线.通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si3N4纳米线的形貌和组分进行表征与分析.TEM和SEM分析显示合成的α-Si3N4纳米线直径为30~100 nm,长达几十微米,其生长沿着α-Si3N4的[001]方向生长,生长机制气-液-固(VLS)机制所控制.α-Si3N4纳米线光致发光光谱(PL)表明其具有一宽的发光带,具有良好的发光性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王秋实	渤海大学新能源学院	14	13	2.0	2.0
2	吴宛泽	渤海大学新能源学院	4	0	0.0	0.0
3	谢永辉	渤海大学新能源学院	5	0	0.0	0.0
4	王维龙	渤海大学新能源学院	3	0	0.0	0.0