基于GaN器件的L波段固态功放研制

• 作者: 王晓会
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: GaN器件 L波段 输出功率 固态功率放大器 结温 寿命试验
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 页码范围: 31-33,37
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 2000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.07.009

摘要

文中基于第三代半导体GaN功率器件的特点,研制了L波段一体化星载固态功率放大器.通过对承受高功率的多层结构宽边耦合器的仿真,设计了小型化、大功率合成器,将两只80 W内匹配GaN功率器件进行功率合成,经过ALC电路设计,确保了固态功放输出功率的稳定性.实测结果表明,在L波段(f0±40 MHz),固态功放的输出功率达到137 W(51.37 dBm),功率增益74.7 dB,功率效率48.5％,杂散抑制63 dBc,-25～60℃内,输出功率波动小于0.2dB;热仿真结果显示,在60℃环境下,GaN器件结温为136.98℃.经过了壳温70℃的加速寿命试验,试验时间超过5000小时,固放工作正常.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓会	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	0	0.0	0.0