基于预布去耦电容的片上电源噪声抑制策略

• 作者: 孙战先 柯希明 马永飞 高成振
• 来源期刊: 计算机工程
• 学科: 工学
• 关键词: 去耦电容 电源完整性 电源噪声 片上 预布
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 体系结构与软件技术
• 页码范围: 56-61
• 页数: 6页
• 分类号: TP391
• 字数: 5017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19678/j.issn.1000-3428.0048888

摘要

去耦电容是抑制电源噪声的有效方法,为平衡去耦电容插入量与去耦电容泄漏功耗,提出一种新的预布去耦电容策略,以抑制电源噪声.在芯片物理设计的布局布线阶段之前,预先均匀地插入一定数量的去耦电容,以优化去耦电容布局并改善电源噪声.实验结果表明,采用该策略后,仅增加1％的去耦电容插入量,能够减小7.2％的瞬态电压降,且当预布的去耦电容面积占芯片总面积的4％～6％时,能够取得较好的噪声抑制效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙战先		2	1	1.0	1.0
2	高成振		1	0	0.0	0.0
3	马永飞		1	0	0.0	0.0
4	柯希明		1	0	0.0	0.0