质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失

• 作者: 李永宏 申帅帅 贺朝会
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 碳化硅 Geant4 非电离能损 位移损伤
• 年，卷（期）: 2018,（18）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 25-33
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20181095

摘要

利用蒙特卡罗方法,应用Geant4程序,模拟计算了1—500 MeV质子在碳化硅材料中的非电离能量损失,并研究了不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献.模拟结果表明:在相同质子辐照下,碳化硅材料中的非电离能量损失要比硅、镓等半导体材料更小,说明碳化硅器件的稳定性更好,抗位移损伤能力更强;当靶材料足够厚时,在不同能量质子辐照下,材料损伤最严重的区域会随着质子入射能量的增加从质子射程末端逐渐前移到材料表面;不同种类的初级反冲原子对非电离能量损失的贡献表明,在低能质子辐照下,28 Si和12 C是位移损伤的主要原因,而随着质子能量的增加,通过核反应等过程产生的次级离子迅速增多,并对材料浅层造成严重的位移损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学核科学与技术学院	35	120	5.0	10.0
2	李永宏	西安交通大学核科学与技术学院	12	77	3.0	8.0
3	申帅帅	西安交通大学核科学与技术学院	3	2	1.0	1.0