不同颜色AlN单晶缺陷研究

• 作者: 史月增 张丽 徐永宽 程红娟 金雷 齐海涛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 物理气相传输 杂质含量 缺陷 AlN晶体
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 页码范围: 1340-1345
• 页数: 6页
• 分类号: O77+5
• 字数: 2059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.07.008

摘要

通过物理气相传输(PVT)法在石墨系统中制备了绿色、无色和琥珀色氮化铝(AlN)单晶,在金属系统中制备了琥珀色AlN单晶.晶体中杂质含量测试结果表明石墨系统中琥珀色的AlN晶体比绿色和无色AlN晶体C、Si杂质含量低1～2个数量级,金属系统中琥珀色AlN晶体杂质含量最低,C、Si、O元素含量均在1018 cm-3级别.AlN晶体的吸收图谱和光致发光图谱的分析结果表明,AlN晶体存在着位于4.7 eV、3.5 eV、2.8 eV、1.85 eV的4个吸收峰,其中4.7 eV和3.5 eV的吸收峰导致了AlN吸收截止边的红移,该吸收峰分别源于碳占氮位(CN)的点缺陷和VAl与O杂质的复合缺陷,2.80 eV的吸收峰导致了AlN晶体的琥珀色,该吸收峰是C元素和O元素共同导致的,1.85 eV的吸收峰导致了AlN晶体的绿色,该吸收峰是Si元素和C元素导致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	张丽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	44	3.0	5.0
3	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
4	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
5	史月增	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	16	3.0	3.0
6	金雷	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	13	2.0	2.0