金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究

• 作者: 刘国军 张晶 曲轶 曾丽娜 李再金 李林 杨小天 苑汇帛 迟耀丹 马晓辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 金辅助催化 金属有机化学气相沉积 GaAs纳米线 GaAs/InGaAs纳米线异质结构
• 年，卷（期）: 2018,（18）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 335-343
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180220

摘要

利用金(Au)辅助催化的方法,通过金属有机化学气相沉积技术制备了GaAs纳米线及GaAs/InGaAs纳米线异质结构.通过对扫描电子显微镜(SEM)测试结果分析,发现温度会改变纳米线的生长机理,进而影响形貌特征.在GaAs纳米线的基础上制备了高质量的纳米线轴、径向异质结构,并对生长机理进行分析.SEM测试显示,GaAs/InGaAs异质结构呈现明显的"柱状"形貌与衬底垂直,InGaAs与GaAs段之间的界面清晰可见.通过X射线能谱对异质结样品进行了线分析,结果表明在GaAs/InGaAs轴向纳米线异质结构样品中,未发现明显的径向生长.从生长机理出发分析了在GaAs/InGaAs径向纳米线结构制备过程中伴随有少许轴向生长的现象.