GaN的MOVPE生长中台阶表面吸附的 量子化学计算

• 作者: 唐斌龙 左然 张周 张红 袁银梅
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 密度泛函理论 表面反应 台阶吸附
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 页码范围: 1312-1317
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.07.003

摘要

利用量子化学的密度泛函理论,计算GaN的MOVPE生长中主要的表面反应前体NH3、GaCH3(简写为MMG)在GaN(0001)面台阶处的吸附特性,并与理想平台表面对比.结果表明,在台阶吸附时,NH3有分子吸附和分解吸附两种结构,MMG只有两种分子吸附结构.NH3分子吸附时,吸附能在台阶处大于在平台表面;NH3分解吸附时,吸附能在平台表面大于在台阶处.说明NH3在台阶处容易发生分子吸附,而在平台表面容易发生分解吸附.MMG在台阶处的吸附能均大于在平台表面,说明它们在台阶处吸附比理想表面更容易.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	张红	江苏大学能源与动力工程学院	23	150	6.0	12.0
3	张周	江苏大学能源与动力工程学院	1	0	0.0	0.0
4	唐斌龙	江苏大学能源与动力工程学院	3	2	1.0	1.0
5	袁银梅	江苏大学能源与动力工程学院	1	0	0.0	0.0