InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性

• 作者: 何锐 刘向远 张刚 魏相飞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InAs/GaSb量子阱 太赫兹 光电导 平衡方程方法
• 年，卷（期）: 2018,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 281-288
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180769

摘要

太赫兹技术由于具有重大的科学价值及应用前景而引起了广泛关注,其核心问题是性能优异的室温太赫兹辐射源和探测器研究.本文用半经典的玻尔兹曼方程方法研究了InAs/GaSb量子阱系统中载流子对电磁场的响应,运用平衡方程方法求解玻尔兹曼方程得到了量子阱系统中的光电导,系统地研究了量子阱结构对光电导的影响,揭示了在该量子阱系统中光电导产生的物理机制.研究发现,量子阱结构主要通过调节载流子的能级、浓度和波函数的耦合影响光电导,对称性较好的量子阱结构(8 nm-8 nm)的光电导信号更强,其峰值落在太赫兹区(0.2 THz),并且在低温下器件的性能较好,温度升高则吸收峰略有降低,且光电导峰值发生红移.研究结果表明该量子阱系统可以用作室温太赫兹光电器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘向远	皖西学院电气与光电工程学院	25	37	4.0	4.0
2	张刚	皖西学院电气与光电工程学院	42	73	4.0	6.0
3	何锐	皖西学院电气与光电工程学院	16	20	3.0	3.0
4	魏相飞	皖西学院电气与光电工程学院	18	25	3.0	3.0