第三类存储技术写入速度比目前U盘快1万倍

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 存储技术 速度比 非易失性存储 U盘 写入速度 复旦大学 读写速度 数据存储
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 27-27
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉，该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期。