双极型晶体管制造工艺SOD技术研究

• 作者: 任萍萍
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 双极型晶体管 旋转涂源工艺 炉管扩散工艺 挤压电阻 PCM
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN305|TN322.8
• 字数: 2118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.06.011

摘要

有两种不同的双极晶体管NPN和PNP,NPN发射极emitter的工艺控制决定了晶体管的结深,在双极性晶体管制造工艺中是非常重要的,发射结的深浅和工艺质量决定了双极性晶体管的很多重要参数,如晶体管的放大能力,相关耐压的高低,漏电大小,是NPN晶体管应用的重要表征参数.在NPN工艺过程中,同时也可以形成emitter发射区(SN)在base基区(SP)的SP挤压电阻,该电阻值比较大,基本上在高阻KΩ 级别.该电阻可以表征在工艺过程中NPN管base基区的控制和emitter发射区在base基区中推进的最终结深,是NPN管常规监控的一个重要参数,在启动电路中和大电阻设计需要中有着普遍的应用.有时SP pinched电阻的敏感度对于emitter发射区在base基区的结深和浓度表征高于NPN晶体管的相关电压和漏电测试,因此也常常设计来监控NPN制造工艺.研究NPN管制造工艺中发射极的SOD技术,为解决产品问题提供指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任萍萍		3	0	0.0	0.0