InAs/GaAs量子点1.3μm单光子发射特性

• 作者: 孙宝权 张志伟 赵翠兰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InAs/GaAs量子点 1.3 μm 单光子发射
• 年，卷（期）: 2018,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 219-225
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20181592

摘要

采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3μm.采用光刻的工艺制备了直径为3μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns;单量子点荧光二阶关联函数为0.015,显示单量子点荧光具有非常好的单光子特性;利用迈克耳孙干涉装置测量得到单光子的相干时间为22 ps,对应的谱线半高全宽度为30 μeV,且荧光谱线的线型为非均匀展宽的高斯线型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵翠兰	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	83	332	10.0	12.0
2	孙宝权	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	20	17	2.0	3.0
3	张志伟	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	14	32	4.0	5.0