阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响

• 作者: 倪自丰 滕康 白亚雯 陈国美
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 蓝宝石晶片 化学机械抛光 阳离子表面活性剂 材料去除率 pH值
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 470-475
• 页数: 6页
• 分类号: O786
• 字数: 3090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.03.002

摘要

为了探究阳离子表面活性剂对A向(1120)蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响,采用失重法计算蓝宝石的材料去除率(MRR)、原子力显微镜观察抛光后蓝宝石晶片表面粗糙度(Ra).结果表明:纯二氧化硅磨粒抛光液中,蓝宝石晶片的MRR在pH8时最优(MRR=1984/h),此时Ra为0.867 nm;添加一定浓度的阳离子表面活性剂可以提高蓝宝石晶片的抛光效率,其MRR在pH =9时达到最大(MRR=2366 nm/h),此时Ra =0.810 nm.通过粒径和Zeta电位分析,阳离子表面活性剂改变了二氧化硅磨粒表面的Zeta电位值,进而改变了磨粒与磨粒及磨粒与蓝宝石晶片的作用力,且在碱性条件下可以获得较高的MRR.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪自丰	江南大学机械学院	52	102	5.0	6.0
2	陈国美	无锡商业职业技术学院机电技术学院	7	11	2.0	3.0
3	白亚雯	江南大学机械学院	4	8	2.0	2.0
4	滕康	江南大学机械学院	3	3	1.0	1.0