氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质的影响

• 作者: 唐吉龙 容天宇 房丹 方铉 王新伟 王晓华 王登魁 谷李彬
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 钝化 GaSb 等离子体增强原子层沉积 氮等离子体
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: O433.4|O472.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20184703.0316001

摘要

利用等离子体增强原子层沉积系统,使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀,改善样品的发光特性.在室温下(300 K),发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中,发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰,峰位位置在0.743 eV处;此外,带边发光峰位随温度变化从0.796 eV移动到0.723 eV.对比室温和低温光谱,发现当N等离子体刻蚀功率为100 W时,Te掺杂GaSb的最佳刻蚀周期是200周期;并且氮钝化没有改变Te掺杂GaSb的发光机制,只是提高了样品的辐射复合效率.