具有梯度掺杂漂移区的分裂栅功率场效应晶体管设计

• 作者: 陈铭
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路设计 梯度掺杂 分裂栅MOSFET
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.05.009

摘要

探讨利用采用渐变掺杂漂移区的分裂栅MOSFET的基本结构和工艺流程.对不同的器件结构参数对器件电性能的关系进行了仿真分析.结果表明通过优选器件结构参数,可以获得比较均匀掺杂漂移区更理想的电性能和更好的漂移区电场分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈铭		5	31	3.0	5.0