一种基于增强型NMOS反相器的低错误率只读PUF

• 作者: 孙玥 魏欣
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 物理不可克隆函数 低比特错误率 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 1037-1041
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.04.041

摘要

降低BER(比特错误率)是应用于物联网安全领域PUF(Physical Uncloneble Function)的热点问题.针对降低比特错误率,提出了一种新型低比特错误率的只读PUF.这种新型PUF的核心思想是用EE(Enhancement-Enhancement)NMOS反相器替代在传统的SRAM存储单元中的CMOS反相器,使得存储单元的上电阶段数据对噪声抵抗能力增强.在180 nm工艺标准下,蒙特卡洛仿真结果显示此新型PUF在室温下的比特错误率低于1％,与传统SRAM PUF相比,比特错误率大幅减小.芯片实测结果证实了此结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏欣	南京信息职业技术学院电子信息学院	32	21	3.0	3.0
2	孙玥	南京信息职业技术学院电子信息学院	30	22	3.0	4.0