四倍压技术改善RSD脉冲功率系统运行频率研究

• 作者: 刘云龙 台流臣 尚超 王文成
• 来源期刊: 电气技术
• 关键词: 脉冲功率 重频 四倍压 半导体 电容
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 32-35,41
• 页数: 5页
• 字数: 2014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3800.2018.02.007

摘要

基于RSD单次运行,本文研究了其重复频率运行,设计了重频运行系统,针对系统中电容充电速度较慢的问题,首次提出用四倍压电路给电容充电,以提高系统的运行频率.仿真和实验结果均显示,四倍压电路实现了电容快速充电,可在150μs内将3μF电容充电至2.0kV.基于四倍压电路充电,系统运行频率可达500Hz,放电电流达2.2kA(脉宽为9μs),di/dt为497.2A/μs,且器件工作稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文成	潍坊学院信息与控制工程学院	23	275	9.0	16.0
2	刘云龙	潍坊学院信息与控制工程学院	15	78	3.0	8.0
3	台流臣	潍坊学院信息与控制工程学院	3	1	1.0	1.0
4	尚超	潍坊学院信息与控制工程学院	3	0	0.0	0.0