65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管 总剂量效应及损伤机制

• 作者: 何宝平 刘敏波 刘静 姚志斌 王祖军 盛江坤 董观涛 薛院院 马武英
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 60Coγ辐照 辐射损伤 数值仿真
• 年，卷（期）: 2018,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 235-242
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172542

摘要

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.