沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

• 作者: 余学峰 余德昭 周航 崔江维 苏丹丹 郑齐文 郭旗 马腾 魏莹
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 65 nm 负偏压温度不稳定性 沟道宽度
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1128-1132
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016

摘要

随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65 nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考.