碳化硅MOSFET换流回路杂散电感 提取方法的优化

• 作者: 崔翔 柯俊吉 谢宗奎 赵志斌 黄华震
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MOSFET换流回路杂散电感开关振荡频率
• 年，卷（期）: 2018,（21）
• 所属期刊栏目: 电工理论
• 页码范围: 4919-4927
• 页数: 9页
• 分类号: TM85
• 字数: 6041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180761

摘要

在基于碳化硅(SiC)MOSFET器件的高压高频变换器中,快速的开关瞬态电流变化率di/dt会作用于换流回路杂散电感上,导致SiC MOSFET器件承受较大的电气应力,增加系统电磁干扰.因此,换流回路杂散电感的准确提取对于分析器件的开关特性非常关键.所以,该文提出了基于开关振荡频率的换流回路杂散电感提取方法,该方法具有不受杂散电阻、测量延时和平台尺寸的限制等优点.最后将该方法与现有的不同杂散电感提取方法进行了对比,验证了其有效性.