气相辅助电沉积法低温制备CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的研究

• 作者: 李少华 李文标 李海涛 杨仕娥 江亚晓 涂丽敏 潘玲 郭巧能 陈永生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CH3NH3PbI3薄膜 气相辅助电沉积法 低温 大面积
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 302-307,320
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3874字
• 语种: 中文

摘要

采用低成本的气相辅助电沉积方法(vapor-assisted electro-deposition,VAED)成功制备了面积为15 cm2均匀致密的钙钛矿薄膜.首先通过电化学沉积制备PbO2薄膜,然后与HI气体反应得到PbI2薄膜,接下来再与HI和CH3NH2混合气体反应,得到CH3NH3PbI3薄膜.实验发现:电化学沉积电压对PbO2薄膜的表面形貌和微结构有重要影响;在PbO2向PbI2的转化过程中,随着反应时间的减小,PbI2的结晶性逐渐增强,最佳反应时间为10 min;在钙钛矿的转化过程中,当HI/CH3NH2体积比为1:2时可获得均匀致密、四方相的钙钛矿薄膜.本研究提供了一种低温制备大面积均匀CH3NH3PbI3薄膜的方法,得到的CH3NH3PbI3薄膜可望在光电器件中得到应用.