铜铬复合基底中Cr含量对CNTs薄膜生长的影响研究

• 作者: 丁佩 张坤 曾凡光 杨卫飞 许坤 霍海波 麻华丽
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: 碳纳米管 铜铬复合基底 Cr含量
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 64-66
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

采用酞菁铁 (FePc) 热解法在铜铬复合基底上制备碳纳米管 (CNTs) 薄膜, 通过SEM、TEM、拉曼光谱等表征手段对不同基底上CNTs薄膜的生长情况进行了分析.研究结果表明, 富铜 (Cu) 区存在束状团聚CNTs颗粒, 其大小和分布密度在铬 (Cr) 含量为1％～3％ (wt, 质量分数) 时, 达到最大.富Cr区表面CNTs无束状团聚颗粒, 且较富Cu区CNTs薄膜生长致密、平整.随着Cr含量增加, CNTs石墨化程度略有增高, 其原因可能是石墨层包裹的铁 (Fe) 催化剂颗粒增多所致.基底Cr含量为3％的CNTs, 其场发射电流密度达到460μA/cm2, 相比铜基底CNTs有较大幅度的提升.研究表明Cr含量对CNTs薄膜的生长调控具有显著作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	麻华丽		22	25	3.0	3.0
2	霍海波		18	22	3.0	3.0
3	曾凡光		35	53	4.0	4.0
4	丁佩		29	44	4.0	5.0
5	许坤		9	11	2.0	3.0
6	杨卫飞		5	2	1.0	1.0
7	张坤		1	0	0.0	0.0