不同设计参数对SOI射频开关谐波性能影响的分析研究

• 作者: 莘海维
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 SOI 射频开关 谐波
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.07.007

摘要

基于0.2μmSOIRF工艺平台,设计了串联支路,并联支路,单刀单掷,单刀双掷等电路结构,研究单级宽度,级联数目等设计参数对射频开关谐波性能的影响.通过实验数据,分析讨论各参数对射频开关谐波性能的影响变化趋势,阐明了产生变化的机制,为射频开关设计提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莘海维		2	2	1.0	1.0