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长短期记忆LSTM神经形态芯片设计的两步映射方法
长短期记忆LSTM神经形态芯片设计的两步映射方法
作者:
何峰
王冠睿
裴京
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
集成电路设计
神经形态芯片
长短期记忆
两步映射
摘要:
长短期记忆(LSTM,LongShort-TermMemory)网络广泛应用于各个领域,天机系列芯片是的神经形态芯片,天机2是最新版本,两步映射方法是研究LSTM网络到天机2.0的映射工具链.LSTM网络计算比一般神经网络复杂,一般四步运算,映射到神经形态芯片也是四步,四步运算耗时很高,对于很多要求高速度的运算要求满足不了,如军工、金融等领域.为了提高速度满足高速度的人工智能中LSTM网络的需求,提出了一种两步LSTM网络的映射解决方案,进行了相关的计算推导,并在实验仿真平台进行了仿真验证.虽然Core资源开销是四步映射的几十、几百倍,但两步映射方法使得速度提高了一倍,在对速度要求高对硬件开销不高的领域,益处极大.
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篇名
长短期记忆LSTM神经形态芯片设计的两步映射方法
来源期刊
集成电路应用
学科
工学
关键词
集成电路设计
神经形态芯片
长短期记忆
两步映射
年,卷(期)
2018,(7)
所属期刊栏目
研究与设计
研究方向
页码范围
14-17
页数
4页
分类号
TN402|TP183
字数
1925字
语种
中文
DOI
10.19339/j.issn.1674-2583.2018.07.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
裴京
清华大学精密仪器系
13
23
3.0
4.0
2
何峰
清华大学精密仪器系
3
7
2.0
2.0
3
王冠睿
清华大学精密仪器系
1
2
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1.0
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两步映射
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
主办单位:
上海贝岭股份有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-2583
CN:
31-1325/TN
开本:
16开
出版地:
上海宜山路810号
邮发代号:
创刊时间:
1984
语种:
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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