磷、铋掺杂半导体锗光学性质的第一性原理研究

• 作者: 刘文亮 邓超生 黄蕾
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 锗 N型掺杂 光学性质
• 年，卷（期）: 2018,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 187-197
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172680

摘要

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算,研究了不同浓度N型掺杂锗的电子结构和光学性质.掺杂元素分别为磷和铋,并对掺杂后的电子态密度和光学性质进行计算、分析.计算结果表明:N型掺杂会使得费米能级向导带方向移动.在低能区段,介电函数、折射率和吸收系数都受到影响,但到高能区后只有消光系数和吸收系数会被影响;反射率在整个能区都受影响,在中能区掺杂会使反射率提高,在低、高能区会减弱反射率;对损失函数的影响是掺杂浓度越高、损耗峰越小、峰值出现处能量越高.研究结果对N型掺杂半导体锗的光学应用具有一定的指导意义,可以根据上述结论有针对性地调节掺杂浓度和能量范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文亮	湘潭大学物理与光电工程学院	5	26	3.0	5.0
2	黄蕾	湘潭大学物理与光电工程学院	1	1	1.0	1.0
3	邓超生	湘潭大学物理与光电工程学院	2	1	1.0	1.0