氮化钛薄膜二次电子发射特性研究

• 作者: 崔万照 王丹 贺永宁
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化钛 微放电 二次电子 薄膜电阻 能谱 电子产额
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 专题-航天功能薄膜技术
• 页码范围: 9-14
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.442
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2018.05.002

摘要

目的 研究氮化钛薄膜的部分物理特性及真空中的电子发射特性,验证氮化钛薄膜具有相对较好的电导特性及较低的电子发射系数,证明氮化钛薄膜在空间大功率微波器件表面处理中有良好的应用前景.方法 使用射频磁控溅射技术在单晶硅及玻璃片表面制备氮化钛薄膜,实验中通过调节溅射过程中氮气与氩气的气体流量比控制薄膜中的氮钛原子比.使用SEM对氮化钛薄膜的表面形貌及厚度进行表征.使用超高真空二次电子发射特性研究平台对氮化钛薄膜的二次电子发射特性进行表征.结果 通过调节溅射过程中的氮气氩气流量比,能够有效控制薄膜中氮钛两种元素的含量,进而改变氮化钛薄膜的结晶方式和其他物理特性.当氮氩气体流量比约为10:15时,薄膜中氮钛原子比约为1:1.电阻率测试结果表明,薄膜中氮钛原子比越接近1:1,薄膜的电阻率越低.二次电子产额(SEY)测试结果表明,所制备氮化钛薄膜的最小SEY峰值约为1.46,低于平滑金(～1.8)、银(～2.2)表面的SEY.结论 氮化钛薄膜具有较好的电导特性及较低的SEY,且其在真空环境中有良好的稳定性,能在不影响微波器件表面损耗的情况下,有效降低器件表面发生电子倍增的风险.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹	西安交通大学微电子学院	59	285	6.0	16.0
2	贺永宁	西安交通大学微电子学院	58	265	9.0	12.0
3	崔万照	中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国防科技重点实验室	43	169	8.0	11.0