氧化钙和氯氧化钇为助烧剂对碳化硅陶瓷性能的影响

• 作者: 李志鹏 王平平 萨娜 董肖 马玉兰 黄以能
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅陶瓷 常压烧结 助烧剂 热膨胀性能
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 184-188
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.01.030

摘要

采用YOCl/CaO为助烧剂常压烧结制备SiC陶瓷,研究助烧剂的配比及烧结温度对陶瓷的显微结构、热学性能及介电性能的影响.结果表明:在高温烧结过程中YOCl及CaO会与SiC发生置换还原反应,生成部分含钇化合物,对比各样品的热膨胀系数发现,在1800 ℃下烧结的YOCl/CaO=4:5的样品与常压烧结制备的纯SiC热膨胀系数α=4.0×10 -6相接近,而其它样品热膨胀系数与单晶硅的热膨胀系数α=2.62×10 -6较为接近,有望成为较好的封装材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄以能		6	5	1.0	2.0