激光热效应对CMOS探测器的干扰机理分析

• 作者: 张巧云 牛春晖 陈青山
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 激光热效应 CMOS探测器 干扰效应 载流子
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 激光应用与系统
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 语种: 中文
• DOI: 10.14016/j.cnki.jgzz.2018.02.072

摘要

为了研究激光热效应对CMOS探测器的干扰效应,建立了激光辐照CMOS探测器固体传热的有限元仿真模型,仿真了激光辐照CMOS的光热效应,得到CMOS探测器的表面温度分布及Si层表面的温度曲线.根据半导体电子空穴对产生公式,得到波长为1064nm的不同功率密度的激光辐照CMOS而产生的光生载流子、热生载流子.根据CMOS对于1064nm激光的饱和功率密度阈值5.87×10-3 W/cm2,得到CMOS的载流子饱和阈值.对比不同功率密度的激光辐照CMOS时的三种载流子.结果表明,功率密度为350W/cm2的激光辐照CMOS时,热生载流子大于了CMOS的载流子饱和阈值,证明热生载流子已经占满了像元,激光的热效应已经干扰了CMOS探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈青山	北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院	52	113	6.0	8.0
2	牛春晖	北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院	57	146	7.0	10.0
3	张巧云	北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院	5	3	1.0	1.0