Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响

• 作者: 冯翠菊 蔡莉莉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶格常数 能带结构 态密度 介电函数
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 108-112,118
• 页数: 6页
• 分类号: O731
• 字数: 3360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.01.017

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Mg掺杂浓度对GaN晶格参数、能带结构、电子态密度和光学性质的影响.研究表明:Mg掺杂GaN体系,晶格常数增大,禁带宽度增加,而且禁带宽度随着Mg含量的增加而增加,同时N2p和Mg2p态电子轨道的相互杂化,从而在费米能级附近引入受主能级,随着Mg含量的增加,费米能级进入价带的位置加深,同时Mg掺杂浓度越高,价带和导带带宽越窄.掺Mg后在介电函数和光学吸收谱的低能区和高能区均出现了新的介电峰,这些峰的出现和禁带中的杂质能级到导带底的跃迁有关,由于带隙的增加使介电峰向高能量方向发生偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯翠菊	华北科技学院理学院	19	60	4.0	7.0
2	蔡莉莉	华北科技学院理学院	16	64	4.0	7.0