蓝宝石衬底材料的研究及应用进展

• 作者: 于璇 叶大千 张保国 考政晓
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化蓝宝石衬底 PVD法生长AlN SOS
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 102-107
• 页数: 6页
• 分类号: TQ032|O78
• 字数: 3110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.01.016

摘要

蓝宝石因为其生产技术成熟、稳定性好、性价比高而被广泛应用于光电领域,成为GaN基光电器件的主要衬底材料.传统的蓝宝石衬底生长GaN薄膜存在许多问题,如由晶格常数不同产生的晶格失配、热应力失配等,且GaN薄膜结晶质量较差、光线提取效率低.介绍了图形化蓝宝石衬底技术在制作GaN基LED器件中的应用,比较了几种图形化衬底对LED的发光性能的影响.在图形化蓝宝石衬底上采用PVD法生长AlN薄膜,可以降低GaN薄膜的螺旋位错和刃位错、提高MOCVD生长效率、显著提高设备利用率.另外,介绍了蓝宝石衬底在SOS领域的应用,列出了SOS工艺对蓝宝石衬底的具体要求.蓝宝石作为一种重要的衬底材料,未来的发展前景会更加广阔.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张保国	河北工业大学电子信息工程学院	5	18	2.0	4.0
3	考政晓	河北工业大学电子信息工程学院	2	5	1.0	2.0
7	叶大千		1	4	1.0	1.0
8	于璇	河北工业大学电子信息工程学院	1	4	1.0	1.0