石墨烯中嵌入硅纳米线的第一性原理研究

• 作者: 吕燕伍 张园园
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 硅纳米线 电子性质
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 77-85
• 页数: 9页
• 分类号: O469
• 字数: 4062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.01.012

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了石墨烯中嵌入不同构型硅纳米线的电子特性.分析了不同构型的硅纳米线嵌入石墨烯后结构的稳定性、能带结构、态密度和差分电荷密度.研究发现:(1)直线型-I硅纳米线嵌入结构存在带隙,并且带隙的大小受到硅含量的调节.(2)扶手椅型硅纳米线嵌入结构和直线型-II硅纳米线嵌入结构由半导体变为导体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕燕伍	北京交通大学理学院	16	32	3.0	4.0
2	张园园	北京交通大学理学院	1	1	1.0	1.0