铋掺杂对SrTiO3薄膜微观结构及阻变行为的影响

• 作者: 刘国保 张文博 杨玲 王华 许积文 谢航
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶 钛酸锶薄膜 Ag/Sr1－xBixTiO3/p+-Si 铋掺杂 阻变特性 阻变存储器(RRAM)
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 薄膜材料
• 页码范围: 1932-1937
• 页数: 6页
• 分类号: TM242
• 字数: 3187字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在 p+-Si上制备了Bi掺杂 SrTiO3薄膜,构建了 Ag/Sr1－xBixTiO3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响.结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变 Sr1－xBixTiO3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x＝0.16 时,有 Bi4SrTi4O15及 TiO2相形成;不同 Bi 掺杂量的 Ag/Sr1－xBixTiO3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为.随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x＝0.12 时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到 105左右,并且在 2 000 次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x 达到或超过0.16 后,器件的性能呈下降趋势.Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x＜0.16)转变为肖特基势垒发射(x＝0.16).器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	98	463	13.0	17.0
2	许积文	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	68	171	6.0	10.0
3	杨玲	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	35	103	6.0	8.0
4	张文博	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
5	谢航	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	4	1	1.0	1.0
6	刘国保	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0