SiC功率器件的研发动向

• 作者: 李姣莹 浅原浩和 邓隐北 郑之明 马豪杰
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: SiC功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 沟槽式SBD 反身阻挡RB-MOSFET 矩阵式变换器
• 年，卷（期）: dysjb_2018,（11）
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN303

摘要

本文阐述了SiC功率器件最近的研发动向,提出了SiC与Si-IGBT的混合模块方案,对比全Si-IGBT,开关损耗能降低30%,回复损耗降低50%,可实现大电流化和成本的下降;提出了沟槽式SBD方案,因此可降低势垒高度并大幅度减小Vf。作为充分发挥SiC特点的新器件,正开发具有双向耐压、反向阻挡的RB-MOSFET,在高电压双向开发中,SiC反向阻挡MOSFET的优越性等均已得到实验证实。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓隐北		7	0	0.0	0.0
2	郑之明		2	0	0.0	0.0
3	李姣莹		1	0	0.0	0.0
4	马豪杰		1	0	0.0	0.0
5	浅原浩和		1	0	0.0	0.0