MOCVD制备禁带宽度2.1～2.2eV的AlGaInP太阳电池

• 作者: 孙强 张启明 张恒 王赫 肖志斌
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 太阳电池 MOCVD
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1171-1173,1189
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 2810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2018.08.024

摘要

禁带宽度2.0～2.2 eV的AlGaInP太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的一结子电池,但目前高质量高Al组分的AlGaInP材料制备仍存在不小的挑战.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备制备了禁带宽度2.1～2.2 eV的AlGaInP太阳电池,研究了外延生长温度、表面活性剂等外延和结构参数对AlGaInP材料和电池性能的影响.通过优化外延生长温度和掺入表面活性剂,获得了在AM0光谱下开路电压达到1.58 V、光电转换效率为12.48％的AlGaInP单结太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王赫	中国电子科技集团公司第十八研究所	13	16	2.0	3.0
2	孙强	中国电子科技集团公司第十八研究所	32	139	7.0	10.0
3	张恒	中国电子科技集团公司第十八研究所	9	53	5.0	7.0
4	张启明	中国电子科技集团公司第十八研究所	4	5	1.0	2.0
5	肖志斌	中国电子科技集团公司第十八研究所	12	57	5.0	7.0